sábado, 4 de diciembre de 2021

Introducción a los cálculos de Ingeniería Química - Problemas 64

 En la industria de los semiconductores, la producción de circuitos integrados (IC) comienza con el corte mecánico de barras de silicio para obtener obleas. Una vez cortadas éstas, se pulen para obtener superficies planas uniformes. A continuación, los contaminantes y los defectos microscópicos (daños de trabajo) se eliminan mediante un baño químico (grabado). Una disolución de grabado tradicional consiste en una relación volumétrica 4: 1: 3 de ácido fluorhídrico al 49%, ácido nítrico al 70% y ácido acético al lOO%, respectivamente. Aunque los daños de trabajo por lo regular no tienen más de 10 mm de profundidad, es común sobregrabar hasta una profundidad de 20 mm por lado. La reacción de disolución de la superficie de silicio es:

3Si + 4HN0₃ + 18HF + 3H₂SiF₆ + 4N0 + 8H₂O

Calcule la velocidad de flujo de la disolución de grabado en kilogramos por hora si cada hora hay que grabar 6000 obleas de 150 mm de diarnetro hasta una profundidad de 20 mm.

¿Cuál es el reactivo limitante?

En la industria de los semiconductores


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